D램, 낸드, HBM 등 디바이스 웨이퍼 레벨 테스트용 MEMS 기반 프로브 카드 제조에 활용 EV Group(이하 EVG)은 ㈜피엠티로부터 자사의 LITHOSCALE 마스크리스 노광 시스템에 대한 공급 계약을 수주했다고 밝혔다. 이번 계약으로, EVG의 LITHOSCALE 시스템은 피엠티 본사에 설치돼 첨단 NAND, DRAM, 고대역폭 메모리(HBM) 디바이스의 웨이퍼 레벨 테스트용 차세대 MEMS 기반 프로브 카드 제조에 사용될 예정이다. 피엠티 조용호 대표이사는 “미세 피치 프로브 카드는 반복적인 리소그래피 패터닝 공정을 통해 제작돼 제조 비용 증가 최소화가 필요하다”며, “기존의 마스크 얼라이너를 이용한 리소그래피 공정을 EVG의 마스크리스 노광 장비인 LITHOSCALE로 대체하게 됐다"고 말했다. 조용호 대표이사는 "이를 통해 제조 비용의 절감이 가능하고, 공정 개발 속도 또한 혁신적으로 단축 가능할 뿐 아니라 프로세스 성능도 향상할 것으로 기대하고 있다. 앞으로도 우리는 첨단 프로브 카드 제조 및 개발에 있어 EVG의 LITHOSCALE뿐 아니라 다양한 프로세스 솔루션을 통한 협력을 이어갈 것으로 기대한다”고 말했다. EVG의 MLE(Maskl
SK하이닉스는 업계 최초로 DDR5 6400Mbps 속도의 32GB UDIMM, SODIMM을 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다. UDIMM(Unbuffered DIMM)은 PC에서 사용되는 메모리 모듈을 통칭하는 개념이며, SODIMM(Small Outline DIMM)은 PC에서 사용되는 초소형 모듈이다. SK하이닉스가 개발한 DDR5 6400 Mbps 모듈 제품은 현존 최고 속도의 PC·클라이언트용 DDR5 제품이다. 6400Mbps는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 약 10편을 1초에 전달할 수 있는 속도다. 이 제품에는 고속 데이터 처리 시 더 안정적인 동작을 위해 CKD(Clock Driver)라는 신규 소자가 적용됐다. SK하이닉스는 업계 최초로 CKD를 탑재해 해당 샘플을 PC SoC(System on Chip) 업체인 고객사에 가장 먼저 제공해 시스템 평가를 진행하고 있다. 또 올해 8월과 9월에는 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 DDR5 모듈 제품에 대해 고객사 인증을 완료했다. SK하이닉스는 발 빠르게 대형 고객 인증을 완료하고 양산을 시작해 향후 DDR5 시장을 미리 선점해 나간다는 계획이다. DDR5 제
SK하이닉스, 램리서치 건식 레지스트 제조 기술로 첨단 D램 패터닝에 활용 예정 램리서치는 15일인 오늘 SK하이닉스가 첨단 D램 칩 생산의 두 가지 핵심 공정 단계를 위한 개발 도구로 램리서치의 혁신적인 건식(드라이) 레지스트 제조 기술을 채택했다고 발표했다. 램리서치가 2020년 선보인 극자외선(EUV) 리소그래피를 위한 건식 레지스트 신기술은 차세대 반도체 생산에 사용되는 핵심 기술인 EUV 리소그래피의 해상도, 생산성, 수율을 개선한다. 램리서치는 SK하이닉스와의 협업 및 건식 레지스트 기술에 대한 반도체 생태계 파트너와의 지속적인 협력을 통해 EUV 리소그래피를 사용해 미래의 메모리 노드 확장에 관련된 장애물을 제거하도록 패터닝 혁신을 추진하는 데 주도적인 역할을 계속하고 있다. 램리서치의 건식 레지스트 제품군 총괄 매니저인 리차드 와이즈(Richard Wise) 부사장은 "램리서치의 건식 레지스트 기술은 게임 체인저가 될 것이다. 재료 수준의 혁신을 통해 EUV 리소그래피의 가장 큰 과제를 해결하고 고급 메모리와 로직에 대한 비용 효율적인 확장을 가능하게 할 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 램리서치의 건식 레지스트 하층막과 건식 개발 공정을 첨단
SK하이닉스가 미래 반도체 산업에 새로운 패러다임을 제시하기 위해 연구 중인 분야를 대내외에 알리고, 최신 연구성과를 공유하는 소통 창구를 열었다. 미래기술연구원 산하 Revolutionary Technology Center(이하 RTC)가 공식 웹사이트(research.skhynix.com)를 새롭게 개설한 것. RTC는 중장기적인 관점에서 반도체 산업의 생태계에 필요한 선행 기술을 연구하기 위해 지난해 신설된 연구(Research) 조직으로, SK하이닉스 내에서 차세대 컴퓨팅을 위한 혁신적인 솔루션을 제시하기 위한 기술 개발을 주도하고 있다. 연구 분야, 연구 협력 현황 소개 등이 주요 메뉴로 구성된 RTC 웹사이트는 SK하이닉스가 현재 집중하고 있는 연구 분야를 알기 쉽게 소개하는 통합 데이터베이스로 활용된다. 이를 위해 웹사이트 내 ‘Research Area’ 카테고리를 마련하고, △Revolutionary Memory △Beyond Memory △Next Generation Computing 등 SK하이닉스가 추구하는 세 가지 주요 연구 방향성을 상세히 공유했다. ‘Revolutionary Memory’ 카테고리에서는 기존 메모리 반도체의 한계를 극
5G 스마트폰 출시와 강력한 수요, 물류··원재료 가격 인상 … 2021년 반도체 가격 인상에 영향 가트너(Gartner)는 2021년 전세계 반도체 매출은 2020년 대비 26.3% 증가한 5,950억 달러를 기록했다고 발표했다. 가트너 리서치 부사장인 앤드류 노우드(Andrew Norwood)는 "현재 반도체 칩 부족 이면에 있는 사건들이 전세계 위탁생산(OEM)에 지속적으로 영향을 미치고 있지만, 5G 스마트폰 출시와 이에 대한 강력한 수요 및 물류·원자재 가격 인상으로 반도체 평균판매가격(ASP)이 높아져 2021년 매출 성장에 크게 기여했다”고 전했다. 삼성전자는 인텔과의 시장점유율 경쟁에서 비록 1% 포인트 미만의 차이를 보였지만, 2021년 매출이 28% 증가하면서 2018년 이후 처음으로 인텔을 제치고 1위 자리를 되찾았다. 인텔의 매출은 0.3% 감소하여 12.3%의 시장점유율을 차지한 삼성 대비 12.2%를 기록했다. 상위 10위 안에 든 AMD와 미디어텍은 2021년 각각 68.6%, 60.2%를 차지하며 가장 강력한 성장세를 보였다. 2021년 반도체 공급업체 순위 중 가장 큰 변화는 하이실리콘이 25위권 밖으로 밀려났다는 점이다. 노우
헬로티 조상록 기자 | ACM리서치가 자사 최초의 300mm싱글 웨이퍼 과산화황 혼합물 시스템(Sulfuric Peroxide Mixture system, SPM) 장비를 출시했다. 이 장비는 첨단 로직, DRAM, 3D-NAND 칩, 기타 집적 회로 제조의 습식 세정 및 식각(etching) 공정에 널리 사용할 수 있으며 특히 고용량 이온을 활용한 포토레지스트 제거 공정과 금속 식각 및 스트립 공정에 적합하다. 이 제품은 기존 ACM리서치의 SPM 공정 제품을 확장한 것으로 10nm 이하의 첨단 공정에서 고온의 단계를 추가해 더욱 다양하고 세밀한 온도 단계를 지원한다. 이번에 개발한 싱글SPM 장비는 당사의 Ultra C Tahoe 장비를 기반으로 한다. 기존 Ultra C Tahoe 장비는 정상 온도에서 대부분의 SPM 공정단계를 지원하고 있으며, 이번 장비는 거기에 고온 SPM의 공정능력을 추가했다. 오늘날 대부분의 SPM 습식 공정은 145°C 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 널리 사용된다. 2018년에 소
헬로티 이동재 기자 | KAIST 연구진이 이종 메모리와 광 네트워크를 활용해 GPU의 메모리 시스템의 용량과 대역폭 모두를 대폭 향상한 기술을 개발했다고 밝혔다. 해당 기술은 기존에 소수의 글로벌 기업 주도 하에 개발돼 왔다. KAIST 전기및전자공학부 정명수 교수 연구팀이 3D XPoint 메모리(이하 XPoint)와 DRAM 메모리를 통합한 이종 메모리 시스템에서 광 네트워크로 통신하는 `옴-지피유(Ohm-GPU)' 기술 개발에 성공함으로써 기존 DRAM을 단독으로 사용한 전기 네트워크 기반의 GPU 메모리 시스템 대비 181% 이상의 성능 향상을 성취했다고 2일 밝혔다. 기존 GPU는 다수의 연산 장치로 구성돼 있어 연산 속도가 매우 빠르다는 장점이 있으나, DRAM을 단독으로 사용하는 메모리 시스템의 낮은 메모리 용량과 좁은 데이터 전송 대역폭으로 인해 연산 성능을 충분히 활용하지 못한다는 문제가 있다. 용량을 증가시키는 대안으로 DRAM을 XPoint로 대체하는 방법이 있으나, 이때 8배 큰 메모리 용량을 얻을 수 있는 반면 읽기/쓰기의 성능이 4배, 6배로 낮아진다. 또한, 대역폭을 증가시키는 대안으로 HBM(High Bandwidth Memor
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